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国星光电成功点亮新一代Micro LED全彩显现屏
Micro LED超高清显现研制项目成功点亮nStar Ⅲ。这是一款选用LTPS-TFT玻璃基驱动背板的1.84英寸Micro LED全彩显现屏,该屏选用全倒装无衬底LED像素发光单元,可完成屏幕峰值亮度>1500nits,像素距离为0.078mm,分辨率360*480,有望应用于Micro LED手表等智能穿戴产品。
据国星光电介绍,nStar Ⅲ选用国星光电自主研制的巨量搬运技能和Micro LED玻璃基封装专利技能,不只完成>50多万颗Micro LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,搬运良率>99.9%,还使得外形厚度更薄,平整度更高,可统筹散热与显现一致性。
从2020年6月nStar Ⅰ问世,到2022年9月推出nStar Ⅱ,再到本次迎来nStar Ⅲ,国星光电Micro LED全彩显现屏产品迭代晋级正在稳步推动傍边。
2020年6月,国星光电第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸显现模组正式问世。技能方面,据介绍,nStar Ⅰ选用玻璃作为基板介质,透明度高达60%;选用RGB芯片巨量搬运技能,色域大于100% NTSC,全彩化显现作用更传神;选用一体式超薄封装技能,对散热更友爱,一起确保了显现作用的一致性以及更低亮度丢失;具有更低的失功率,功率可低至LCD的10-20%,OLED的50-70%,可靠性高。
2022年9月,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显现屏,像素距离300微米(P0.3),选用TFT驱动完成了8bit(256灰阶)色深的显现作用;根据自主建立的Micro LED技能创新研制渠道,一起突破了巨量搬运及巨量键合两层技能难题,其归纳良率提高至99.99%。
伴随着nStar系列新产品更新换代,技能上不断向小距离、小尺度等方面晋级,功能继续提高,国星光电后续产品的开发将不断拓展应用范畴。
在Micro LED范畴,国星光电近年来大力布局自主研制,自2018年建立Mini&Micro LED研究中心后,2020年又建立了广东省半导体微显现要点实验室,现在,公司在Mini/Micro LED范畴已请求发明专利100余件。
值得一提的是,国星光电牵头承当的Micro LED全彩显现屏研制项目别离获批国家要点研制方案、广东省要点范畴研制方案等科研项目,这有助于国星光电全力推动Micro LED新式显现项目开发,加快关键技能攻坚进程。
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